Одиночные MOSFET транзисторы

558
Корпус: SOT23-3
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (558)
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Транзистор полевой P-канальный 20В 3.7А 1.3Вт
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
632 534 шт
Цена от:
от 1,48
LND150K1-G LND150K1-G MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT23-3
MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 1.6А 0.69Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Акция
MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 300мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Входная емкость:
45пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
MMBF170 MMBF170 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
51 214 шт
Цена от:
от 1,92
MMBF170-7-F MMBF170-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
51 214 шт
Цена от:
от 1,92
MMBF170Q-13-F MMBF170Q-13-F Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
MMFTP3334K MMFTP3334K 30V 4A 1W 800mV 1 P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Производитель:
Diotec Semiconductor
Корпус:
SOT-23
MVSF2N02ELT1G MVSF2N02ELT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.8A SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.8A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
85 мОм @ 3.6А, 4.5В
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
3.5нКл @ 4В
Входная емкость:
150пФ @ 5В
Тип монтажа:
Surface Mount
NCE0103Y NCE0103Y Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3А, 1.5Вт
Производитель:
Wuxi NCE Power Co
Корпус:
SOT-23
NCE3407AY NCE3407AY Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.3A SOT23-3L
Производитель:
Wuxi NCE Power Co
Корпус:
SOT23-3
NDS0605 NDS0605 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 180мА, 0.36Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
180мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
79пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS351AN NDS351AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
1.8нКл
Входная емкость:
145пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS351N NDS351N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3.5нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS352AP NDS352AP Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 900мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
3нКл
Входная емкость:
135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS355N NDS355N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
245пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS356AP NDS356AP Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
4.4нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 400мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
400мА
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
2.18нКл
Входная емкость:
70пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.25В
Заряд затвора:
5.5нКл
Входная емкость:
225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"