Одиночные MOSFET транзисторы

₅₅₈

Корпус: SOT23-3

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (558)

SI2308BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

156 мОм

Мощность макс.:

1.66Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

6.8нКл

Входная емкость:

190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 227 шт

Цена от:

от 14,69₽

SI2309CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.2A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

345 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

4.1нКл

Входная емкость:

210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

13 872 шт

Цена от:

от 2,31₽

SI2309DS-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 1.25 А, 1.25 Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Сообщить о поступлении

SI2309DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.25A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.25А

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

13 872 шт

Цена от:

от 2,31₽

Акция

SI2310A Транзистор полевой N-канальный 60В 3A 80мОм

Производитель:

UMW Youtai Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

59 124 шт

Цена от:

от 2,50₽

SI2312CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

31.8 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

865пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2315BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

715пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2316BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

1.66Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

9.6нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2318DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI2319 Транзистор полевой P-канальный 40В 4.4А 70мОм

Производитель:

UMW Youtai Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Сообщить о поступлении

SI2319DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 2.3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

470пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2323CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1090пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 860 шт

Цена от:

от 3,42₽

SI2323DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.3A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 860 шт

Цена от:

от 3,42₽

SI2324DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

234 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

10.4нКл

Входная емкость:

190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2325DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

530мА

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 733 шт

Цена от:

от 35,22₽

SI2328DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.15A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.15A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

730мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

5нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2328DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.15A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.15A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

730мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

5нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2329DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

8В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1485пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 7.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

7.1A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 7.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

7.1A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"