Одиночные MOSFET транзисторы

906
Корпус: DPAK/TO252
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (906)
D18P10M D18P10M Транзистор полевой MOSFET Р-канальный 100В 18A 95мОм
Производитель:
Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.
Корпус:
TO-252
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
16 057 шт
Цена от:
от 19,85
D35P06M D35P06M Транзистор полевой MOSFET Р-канальный 60В 35A 25мОм
Производитель:
Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.
Корпус:
TO-252
D50N06M D50N06M Транзистор полевой MOSFET силовой 50A 60В N-канальный
Производитель:
Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.
Корпус:
TO-252
D70N10M D70N10M Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73A 8.5мОм быстродействующий
Производитель:
Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.
Корпус:
TO-252
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3-13 Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.1A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.1A(Ta),43A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм @ 18А, 10В
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
37нКл @ 10В
Входная емкость:
2075пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN6068LK3-13 DMN6068LK3-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6А 8.49Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
DMNH6042SK3-13 DMNH6042SK3-13 Trans MOSFET N-CH 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK
DMP10H400SK3-13 DMP10H400SK3-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
DMP4015SK3Q-13 DMP4015SK3Q-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 14A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252
DMP4025LK3-13 DMP4025LK3-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.7A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
33.7нКл
Входная емкость:
1640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP6180SK3-13 DMP6180SK3-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 14A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252
Акция
FCD380N60E FCD380N60E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 106Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
106Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCD4N60TM FCD4N60TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.9A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.9А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FCD5N60TM FCD5N60TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.6A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
950 мОм @ 2.3А, 10В
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
16нКл @ 10В
Входная емкость:
600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FCD600N60Z FCD600N60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCD7N60TM FCD7N60TM 600V N-Channel MOSFET, SuperFET™
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
FCD7N60TM-WS FCD7N60TM-WS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FCD900N60Z FCD900N60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCD9N60NTM FCD9N60NTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
385 мОм
Мощность макс.:
92.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.8нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"