Одиночные MOSFET транзисторы

₉₀₇

Корпус: DPAK/TO252

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (907)

DMP6180SK3-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 14A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TO-252

Сообщить о поступлении

DOD50P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 05A 270 Вт ТО-252

Производитель:

Shenzhen Doingter Semiconductor

Корпус:

TO-252

Сообщить о поступлении

-5% Акция

FCD380N60E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 106Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

106Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FCD4N60TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.9A DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.9А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FCD5N60TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.6A DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

4.6A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

950 мОм @ 2.3А, 10В

Мощность макс.:

54Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

16нКл @ 10В

Входная емкость:

600пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FCD600N60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.4A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

89Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1120пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FCD7N60TM 600V N-Channel MOSFET, SuperFET™

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Связаться с инженером по применению

FCD7N60TM-WS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7A DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FCD900N60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

900 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FCD9N60NTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

385 мОм

Мощность макс.:

92.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

17.8нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDB2614 MOSFET N-канал 200В/62А/0.022 Ом DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK

Связаться с инженером по применению

FDD10AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

10.5 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD120AN15A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

65Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14.5нКл

Входная емкость:

770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD13AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A D-PAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Связаться с инженером по применению

FDD14AN06LA0_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

11.6 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

2810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

47нКл

Входная емкость:

1874пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD18N20LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В DPAK-3

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD24AN06LA0_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

7.1A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

54 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD2582 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 21A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

66 мОм

Мощность макс.:

95Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1295пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"