Одиночные MOSFET транзисторы

906
Корпус: DPAK/TO252
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (906)
FDD4141 FDD4141 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
12.3 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2775пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4141_F085 FDD4141_F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
12.3 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2775пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4243 FDD4243 Транзистор полевой MOSFET Р-канальный 40В 6.7А 44 мОм, 42Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 054 шт
Цена от:
от 13,16
FDD4685 FDD4685 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 32А 27 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4685_F085 FDD4685_F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5353 FDD5353 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11.5A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11.5A(Ta),50A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.3 мОм @ 10.7А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
65нКл @ 10В
Входная емкость:
3215пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5612 FDD5612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5614P FDD5614P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
759пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5670 FDD5670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 52A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
2739пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5680 FDD5680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1835пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5690 FDD5690 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5810_F085 FDD5810_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 37A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
72Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5N50NZ FDD5N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4А 62Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4A
Мощность макс.:
62Вт
Тип транзистора:
N-канал
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM N-MOS+D 500V, 4A, 40W
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Акция
FDD5N50TM FDD5N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4А 40Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4A
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6530A FDD6530A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 21A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6612A FDD6612A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.4нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6630A FDD6630A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
462пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDD6635 FDD6635 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
35В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"