Одиночные MOSFET транзисторы

906
Корпус: DPAK/TO252
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (906)
NTD6414ANT4G NTD6414ANT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD6415ANLT4G NTD6415ANLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1024пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD6416ANLT4G NTD6416ANLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 19A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
19A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
74 мОм @ 19А, 10В
Мощность макс.:
71Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В @ 250 µA
Заряд затвора:
40нКл @ 10В
Входная емкость:
1000пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
NTDV20P06LT4G NTDV20P06LT4G Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 15.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
NVD2955T4G NVD2955T4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVD3055-150T4G NVD3055-150T4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVD3055L170T4G NVD3055L170T4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
275пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVD5865NLT4G NVD5865NLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
OSG80R650DF OSG80R650DF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 24A 0.6Ом
Производитель:
Oriental Semiconductor
Корпус:
TO-252
Акция
P1504BDG P1504BDG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 40А 42Вт
Производитель:
NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус:
TO-252
Акция
P1604ED P1604ED Транзистор полевой P-канальный 40В 43А 50Вт
Производитель:
NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
P2504BDG P2504BDG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12А 41Вт
Производитель:
NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус:
TO-252
P2804BDG P2804BDG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10А 42мОм 32Вт
Производитель:
Noname
Корпус:
TO-252
P3003EDG P3003EDG Транзистор полевой P-канальный 30В 18А 20Вт
Производитель:
NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Акция
P3004BD P3004BD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 29А 30Вт
Производитель:
NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус:
TO-252
P4404EDG P4404EDG Транзистор полевой P-канальный 40В 10А 30Вт
Производитель:
NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
P5504EDG P5504EDG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 21А 41Вт
Производитель:
NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус:
TO-252
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 054 шт
Цена от:
от 13,16
PSMN025-100D,118 PSMN025-100D,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 47A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
47A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
25 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
61нКл @ 10В
Входная емкость:
2600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
RD3P050SNTL1 RD3P050SNTL1 N-Channel 100V MOSFETs
Производитель:
ROHM
Корпус:
TO-252
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"