Одиночные MOSFET транзисторы

78
Корпус: PPAK SO-8
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (78)
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
4240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR698DP-T1-GE3 SIR698DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
195 мОм
Мощность макс.:
23Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR804DP-T1-GE3 SIR804DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
7.2 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
76нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
15.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
7.8 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
2350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR866DP-T1-GE3 SIR866DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
1.9 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
4730пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
6.6 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2866пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 53.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
53.7A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
1286пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR872DP-T1-GE3 SIR872DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 53.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
53.7A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
2130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR876ADP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
10.8 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR880ADP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2289пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR882ADP-T1-GE3 SIR882ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1975пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
11700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIRA04DP-T1-GE3 SIRA04DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
2.15 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
2425пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
58A
Сопротивление открытого канала:
5.1 мОм
Мощность макс.:
31.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
TPHR9003NL,L1Q(M TPHR9003NL,L1Q(M Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 220A 8-Pin SOPAdvance
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
220A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"