Одиночные MOSFET транзисторы

46
Корпус: PowerPAKB1212
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (46)
SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
1980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7613DN-T1-GE3 SI7613DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
52.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
87нКл
Входная емкость:
2620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7625DN-T1-GE3 SI7625DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
126нКл
Входная емкость:
4427пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7655DN-T1-GE3 SI7655DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 40A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
225нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7716ADN-T1-GE3 SI7716ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
27.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
846пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7812DN-T1-E3 SI7812DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7818DN-T1-E3 SI7818DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
135 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7820DN-T1-E3 SI7820DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
240 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
240 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS110DN-T1-GE3 SIS110DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3 SIS176LDN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 70В 42.3А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
SIS178LDN-T1-GE3 SIS178LDN-T1-GE3 Транзистор MOSFET N-канал 70В 45.3А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS410DN-T1-GE3 SIS410DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
4.8 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS434DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
7.6 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1530пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS438DN-T1-GE3 SIS438DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
27.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 35A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
11.7 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
135нКл
Входная емкость:
4370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SiS4604DN-T1-GE3 SiS4604DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 44A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
SIS468DN-T1-GE3 SIS468DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
19.5 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"