Одиночные MOSFET транзисторы

₄₉₁

Корпус: TO220

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Surface Mount (3357)
Through Hole (1862)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (491)

FDP20N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

230 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

59.5нКл

Входная емкость:

3120пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP22N50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

220 мОм

Мощность макс.:

312.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

3200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP24N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 24A TO-220

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

24A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

175 мОм @ 12А, 10В

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

60нКл @ 10В

Входная емкость:

3020пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP26N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 26A TO-220

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

26А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A TO-220

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

50A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

42.5 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

260Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

101нКл @ 10В

Входная емкость:

7280пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP33N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

33A

Сопротивление открытого канала:

94 мОм

Мощность макс.:

235Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

2135пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP39N20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 39 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Связаться с инженером по применению

FDP51N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 51A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

51A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

320Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

3410пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP55N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

114Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP5800 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

242Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

145нКл

Входная емкость:

9160пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP5N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

78Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP6030BL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

65A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

2170пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP7030BL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

1760пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP75N08A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

137Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

104нКл

Входная емкость:

4468пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP7N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

1.25 Ом

Мощность макс.:

147Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

730пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP80N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A TO-220

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

80A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

10 мОм @ 40А, 10В

Мощность макс.:

176Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

74нКл @ 10В

Входная емкость:

3190пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

49нКл

Входная емкость:

2500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP8N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

139Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

735пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDPF045N10A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 67A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

67A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

5270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"