Одиночные MOSFET транзисторы

490
Корпус: TO220
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (490)
FDP047N10 FDP047N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
15265пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP054N10 FDP054N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
263Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
203нКл
Входная емкость:
13280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP075N15A_F102 FDP075N15A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
130A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
333Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
7350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP083N15A_F102 FDP083N15A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
83A
Сопротивление открытого канала:
8.3 мОм
Мощность макс.:
231Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
6040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP085N10A-F102 FDP085N10A-F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 96A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
96A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
188Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
2695пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP090N10 FDP090N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
116нКл
Входная емкость:
8225пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP100N10 FDP100N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75А 0.01 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
7300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP10N60NZ FDP10N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
185Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1475пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP120N10 FDP120N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 74A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
74A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
5605пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP12N50NZ FDP12N50NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1235пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP12N60NZ FDP12N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
650 мОм
Мощность макс.:
240Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1676пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP150N10 FDP150N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
4760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP150N10A_F102 FDP150N10A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDP18N20F FDP18N20F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
145 мОм @ 9А, 10В
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
26нКл @ 10В
Входная емкость:
1180пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDP18N50 FDP18N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
265 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP20N50 FDP20N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59.5нКл
Входная емкость:
3120пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP24N40 FDP24N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 24A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
175 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 10В
Входная емкость:
3020пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDP26N40 FDP26N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 26A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
26А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDP2710 FDP2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
50A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
42.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
101нКл @ 10В
Входная емкость:
7280пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDP33N25 FDP33N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
94 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
2135пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"