Одиночные MOSFET транзисторы

62
Ток стока макс.: 16A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (62)
IRF7210TRPBF IRF7210TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
600mВ
Заряд затвора:
212нКл
Входная емкость:
17179пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
547 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 64,29
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
91нКл
Входная емкость:
8676пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
50 шт

Внешние склады:
7 121 шт
Цена от:
от 51,71
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 16A SO-8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6.6 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
2820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 343 шт

Внешние склады:
5 220 шт
Цена от:
от 36,83
IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16А, 220Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
320 мОм
Мощность макс.:
220Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
500 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 171,79
IRFP350PBF IRFP350PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 16А 190Вт, 0.3 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 193 шт

Внешние склады:
6 694 шт
Цена от:
от 133,45
IRFPC60LCPBF IRFPC60LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16А 280Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 040 шт

Внешние склады:
635 шт
Цена от:
от 240,06
-6% Акция
IRFPC60PBF IRFPC60PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16А 280Вт, 0.40 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
196 шт

Внешние склады:
1 286 шт
Цена от:
от 221,45
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A 52Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 202 шт

Внешние склады:
4 800 шт
Аналоги:
3 000 шт
Цена от:
от 24,23
STD16NF06T4 STD16NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16А 0.06 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14.1нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
516 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 21,22
Акция
STD18N55M5 STD18N55M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 13А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
550В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
192 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1260пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 568 шт

Внешние склады:
455 шт
Цена от:
от 178,74
STP16NF06 STP16NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
315пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
256 шт

Внешние склады:
2 510 шт
Цена от:
от 42,03
FCPF16N60NT FCPF16N60NT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
199 мОм
Мощность макс.:
35.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52.3нКл
Входная емкость:
2170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 шт
Цена от:
от 739,73
FDB060AN08A0 FDB060AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
5150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 294,04
FDMS7682 FDMS7682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6.3 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1885пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 35,44
FDMS86150 FDMS86150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
4.85 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
4065пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 171,21
FQD16N25CTM FQD16N25CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 16А 270 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53.5нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 38,21
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] ST
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 800 шт
Цена от:
от 309,27
IRF7456TRPBF IRF7456TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 79,51
IRFU3910PBF IRFU3910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 150 шт
Цена от:
от 30,66
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
72Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 156,72
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"