Одиночные MOSFET транзисторы

34
Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (34)
-6% Акция
IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.6A 57Вт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
550В
Ток стока макс.:
7.6A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
18.7нКл
Входная емкость:
433пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 759 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 46,39
-6% Акция
IPP80R1K4P7XKSA1 IPP80R1K4P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
94 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 23,74
BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03LSGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
6100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS138Q-7-F BSS138Q-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
841 387 шт
Цена от:
от 0,60
CSD18509Q5BT CSD18509Q5BT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1.2 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
195нКл
Входная емкость:
13900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN10H700S-7 DMN10H700S-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
4.6нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP3008SFGQ-7 DMP3008SFGQ-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.6A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
2230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP6180SK3Q-13 DMP6180SK3Q-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 14A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
17.1нКл
Входная емкость:
984.7пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD4685-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 32A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPA80R450P7XKSA1 IPA80R450P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
29Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
130A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
7300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD50N04S308ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
2350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
12.6 мОм
Мощность макс.:
58Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
3670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
49Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
9.4нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD60R2K1CEBTMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В TO-252-3
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
2.1 Ом
Мощность макс.:
22Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
6.7нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPP100N04S303AKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
145нКл
Входная емкость:
9600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPP77N06S212AKSA2 IPP77N06S212AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
77A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
158Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPP80N06S407AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
7.4 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
4500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPS80R1K4P7AKMA1 IPS80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
10нКл
Тип монтажа:
Through Hole
-6% Акция
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
10.05нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
126 шт
Цена от:
от 34,20
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"