Одиночные MOSFET транзисторы

25
Заряд затвора: 21нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (25)
AOD413A AOD413A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 12А 25Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1125пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 124 шт

Внешние склады:
12 500 шт
Цена от:
от 12,22
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
595пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 277 шт

Внешние склады:
12 235 шт
Цена от:
от 17,97
Акция
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 280 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 8,91
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 623 шт

Внешние склады:
3 595 шт
Аналоги:
5 209 шт
Цена от:
от 28,76
Акция
SI4848DY-T1-GE3 SI4848DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
209 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Аналоги:
5 218 шт
Цена от:
от 25,86
Акция
STD10NF10T4 STD10NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13А 50Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 275 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 82,99
Акция
STP14NF10 STP14NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
192 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 75,46
FDB86102LZ FDB86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 30A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1275пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Цена от:
от 83,11
FDFS2P106A FDFS2P106A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
714пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 464,59
FDMC3612 FDMC3612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 26,16
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 080 шт
Цена от:
от 24,03
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
61 мОм
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Аналоги:
90 616 шт
Цена от:
от 16,78
SI4485DY-T1-GE3 SI4485DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 37,94
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 020 шт
Цена от:
от 68,82
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 7-Pin Direct-FET SC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] SC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC645N FDC645N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD24AN06LA0_F085 FDD24AN06LA0_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.1A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD306P FDD306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 6.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC86260 FDMC86260 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDME910PZT FDME910PZT Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFet 1.6x1.6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
2110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"