Одиночные MOSFET транзисторы

21
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (21)
IRF530NPBF IRF530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
5 861 шт

Внешние склады:
15 035 шт
Цена от:
от 16,25
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 3.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 762 шт

Внешние склады:
3 200 шт
Цена от:
от 32,58
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro8[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
700 шт

Внешние склады:
10 512 шт
Цена от:
от 23,30
Акция
IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23А 136Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
381 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 79,29
-6% Акция
FCP36N60N FCP36N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 36A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
4785пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
19 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 377,20
NTGS3441T1G NTGS3441T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.65A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.65A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 52,78
SI7439DP-T1-E3 SI7439DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
135нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 403,14
STB16NF06LT4 STB16NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
345пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 43,94
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 123,53
ZXM64P02XTA ZXM64P02XTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
MSOP8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
6.9нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 60,14
FCB36N60NTM FCB36N60NTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 36A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
4785пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG327N FDG327N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
380мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6.3нКл
Входная емкость:
423пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG327NZ FDG327NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
380мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
412пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQA28N15 FQA28N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33А 227Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA36P15 FQA36P15 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 36А 294Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
105нКл
Входная емкость:
3320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF530NSPBF IRF530NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 3.8Вт, 0.16 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 962 шт
Цена от:
от 32,58
IRF7422D2PBF IRF7422D2PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFPS43N50KPBF IRFPS43N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 47А 540Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
Super-247 (TO-274AA)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
540Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
350нКл
Входная емкость:
8310пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PHP18NQ10T,127 PHP18NQ10T,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
633пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SI7439DP-T1-GE3 SI7439DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
135нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 000 шт
Цена от:
от 403,14
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.53599 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"