Одиночные MOSFET транзисторы

29
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (29)
Акция
FQP30N06L FQP30N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
77 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 111,38
IRLIZ34NPBF IRLIZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 22А 37Вт, 0.035 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 388 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 65,42
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27А 56Вт, 0.035 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 771 шт

Внешние склады:
437 шт
Цена от:
от 44,91
Акция
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
190 шт

Внешние склады:
2 260 шт
Цена от:
от 55,06
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 367 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4,88
FDMA530PZ FDMA530PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET 2x2
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.8A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 61,67
FDS5351 FDS5351 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6.1A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 36,30
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] SJ
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
8 072 шт
Цена от:
от 81,33
NDB5060L NDB5060L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 26A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 502,19
NTLJS4114NT1G NTLJS4114NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 50,16
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 7.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
7.1A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 293 шт
Аналоги:
73 901 шт
Цена от:
от 20,26
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 7.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
7.1A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
73 901 шт
Аналоги:
5 293 шт
Цена от:
от 11,87
STD25N10F7 STD25N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 25A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 44,77
STP25N10F7 STP25N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 25A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
104 шт
Цена от:
от 114,75
FDA70N20 FDA70N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 70A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
3970пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDC602P FDC602P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1456пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC653N FDC653N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6630A FDD6630A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
462пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN339AN FDN339AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT459N FDT459N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
365пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43524 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"