Одиночные MOSFET транзисторы

674
Напряжение сток-исток макс.: 100В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (674)
IRLD110PBF IRLD110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.1нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 93,84
SFP9530 SFP9530 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 10.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
66Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1035пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
40 шт
Цена от:
от 140,98
SI4056DY-T1-GE3 SI4056DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.1А 2.5Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
11.1A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
29.5нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 100 шт
Цена от:
от 90,93
TSM900N10CP TSM900N10CP Транзистор полевой MOSFET силовой 100В 15A одиночный N-канальный
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
15А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
168 673 шт
Цена от:
от 6,21
VS-FC420SA10 VS-FC420SA10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 190 А, 568Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-227
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190А
Мощность макс.:
568Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Chassis Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
56 шт
Цена от:
от 2 745,53
WMK25N10T1 WMK25N10T1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 100В, ток стока 25А
Производитель:
Wayon
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
25А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 756 шт
Цена от:
от 21,75
WMO18P10TS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18А
Производитель:
Wayon
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 392 шт
Цена от:
от 17,25
ZVN2110A ZVN2110A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 320мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
320мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Входная емкость:
75пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 616 шт
Цена от:
от 32,08
ZXMP10A18KTC ZXMP10A18KTC Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
2.17Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26.9нКл
Входная емкость:
1055пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
90 шт
Цена от:
от 96,60
2SK2399(TE16L1,NQ) 2SK2399(TE16L1,NQ) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5A
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
2SK3480-AZ 2SK3480-AZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В MP-25/TO-220
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AO3442 AO3442 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A 3-Pin SOT-23
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
630 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.9В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AOB290L AOB290L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A TO263
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18A(Ta),140A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.1В @ 250 µA
Заряд затвора:
126нКл @ 10В
Входная емкость:
9550пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AOB2910L AOB2910L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6A TO263
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6A(Ta),30A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
23.5 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В @ 250 µA
Заряд затвора:
25нКл @ 10В
Входная емкость:
1190пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
AOD4126 AOD4126 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43А 50Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AOL1482 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A 8ULTRASO
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
UltraSO-8[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.5A(Ta),28A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
37 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В @ 250 µA
Заряд затвора:
44нКл @ 10В
Входная емкость:
2000пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AON7296 AON7296 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5A 8DFN
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5A(Ta),12.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
66 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В @ 250 µA
Заряд затвора:
12нКл @ 10В
Входная емкость:
415пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
ATP301-TL-H ATP301-TL-H Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ATPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF3710Z AUIRF3710Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRF3710ZS AUIRF3710ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 35А, 10В
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
2900пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"