Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
SPP04N50C3XKSA1
Полевой транзистор N-канальный 500В 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4.5A
Тип транзистора: N-канал
STB11NK50ZT4
Транзистор полевой N-канальный 500В 10А 125Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 520 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 68нКл
Входная емкость: 1390пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB20NK50Z
Транзистор полевой N-канальный 500В 17А 190Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 17A
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
STB23NM50N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 17A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1330пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB32NM50N
Транзистор полевой N-канальный 500В 22A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 130 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 62.5нКл
Входная емкость: 1973пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB9NK50ZT4
Транзистор полевой N-канальный 500В 7.2A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 7.2A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 910пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD10NM50N
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 7 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 630 мОм
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 450пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD14NM50NAG
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 320 мОм
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 816пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD16N50M2
MOSFET N-CH 500V 13A DPAK
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 13A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 280 мОм @ 6.5А, 10В
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 19.5нКл @ 10В
Входная емкость: 710пФ @ 100В
Тип монтажа: Surface Mount
STD4NK50Z-1
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 310пФ
Тип монтажа: Through Hole
STD4NK50ZT4
Транзистор полевой N-канальный 500В 4A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 310пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD6NK50ZT4
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.6 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5.6A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 24.6нКл
Входная емкость: 690пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STD8NM50N
Транзистор полевой N-канальный 500В 5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 790 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 364пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STF11NM50N
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8.5A
Сопротивление открытого канала: 470 мОм
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 547пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF19NM50N
Транзистор полевой N-канальный 500В 14А 30Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 250 мОм
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 1000пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF23NM50N
Транзистор полевой N-канальный 550В 17А 30Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1330пФ
Тип монтажа: Through Hole
STF8NM50N
Транзистор полевой N-канальный 500В 5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 790 мОм
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 364пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP12NM50
Транзистор полевой N-канальный 500В 12А 35Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 350 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 39нКл
Входная емкость: 1000пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP15NK50Z
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 340 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 106нКл
Входная емкость: 2260пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.