Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (248)
IRL640A Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1705пФ Тип монтажа: Through Hole
IRL640PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 17А, 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
IRL640SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRL640STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 17А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRL640STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 17A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLI640GPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9.9A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IXTA60N20T Транзистор полевой N-канальный 200В 60А 500Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXTA) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 60A Тип транзистора: N-канал
IXTP26P20P Транзистор полевой P-канальный 200В 26А 300Вт Производитель: Littelfuse Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2740пФ Тип монтажа: Through Hole
PHD9NQ20T,118 Транзистор полевой N-канальный 200В 8.7A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 88Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 959пФ Тип монтажа: Surface Mount
PHP20NQ20T,127 Транзистор полевой N-канальный 200В 20A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2470пФ Тип монтажа: Through Hole
PSMN102-200Y,115 Транзистор полевой N-канальный 200В 21.5A Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 21.5A Сопротивление открытого канала: 102 мОм Мощность макс.: 113Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30.7нКл Входная емкость: 1568пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4464DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4464DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4490DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.85 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.85A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4490DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.85 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.85A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7119DN-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 200В 3.8A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 666пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7431DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 200В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 174 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 135нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7450DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.2 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 42нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7464DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.8 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7820DN-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"