IRL640PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А, 125Вт

Код товара: 204619

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRL640PBF
Производитель:
Описание Eng:
Field-effect transistor, N-channel, 200V 17A
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

200В

Ток стока макс.

17A

Сопротивление открытого канала

180 мОм

Мощность макс.

125Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

66нКл

Входная емкость

1800пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

TO-220

Вес брутто

2.72 г.

Описание IRL640PBF

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Logic-level gate drive
• Ease of paralleling
• RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
• Simple drive requirements

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А17
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.18 ом при 10a, 5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125
Крутизна характеристики, S16
Корпусto220ab
Пороговое напряжение на затворе2
Вес, г2.5

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IRL640PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А, 125Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.