Одиночные MOSFET транзисторы

252
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (252)
Акция
STL130N8F7 STL130N8F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 130А 0.0046 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
130A
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
6340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STL60N10F7 STL60N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
72Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP100N10F7 STP100N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4369пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP12NK30Z STP12NK30Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP12NK80Z STP12NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 10.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
87нКл
Входная емкость:
2620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP140N8F7 STP140N8F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 90A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
6340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP150N10F7 STP150N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 110A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
117нКл
Входная емкость:
8115пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP15NK50Z STP15NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
340 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
106нКл
Входная емкость:
2260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP20NK50Z STP20NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 17А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
119нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP25N10F7 STP25N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 25A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP2N62K3 STP2N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP2NK100Z STP2NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.85A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
1.85A
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
499пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP2NK90Z STP2NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 2.1A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
6.5 Ом
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
485пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP3LN62K3 STP3LN62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
386пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP3N62K3 STP3N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
385пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP3NK60Z STP3NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11.8нКл
Входная емкость:
311пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP3NK60ZFP STP3NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11.8нКл
Входная емкость:
311пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP3NK90Z STP3NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.7нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP45N10F7 STP45N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 45A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
45A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1640пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP4N52K3 STP4N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
525В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
2.6 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
334пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"