Одиночные MOSFET транзисторы

₃₈₇

Мощность макс.: 2.5Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (387)

FQD8P10TM_F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.6A

Сопротивление открытого канала:

530 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

470пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD9N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 7.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

7.4A

Сопротивление открытого канала:

420 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT2P25TF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 0.55A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-3

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

550мА

Сопротивление открытого канала:

4 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

8.5нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT3P20TF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.67A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

670мА

Сопротивление открытого канала:

2.7 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

8нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT4N25TF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 0.83A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT223-4

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

830мА

Сопротивление открытого канала:

1.75 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

5.6нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQU11P06TU Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.4A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU13N06LTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU1N60CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

11.5 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

6.2нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU1N80TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A IPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

I-Pak

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

1A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

20 Ом @ 500mА, 10В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

7.2нКл @ 10В

Входная емкость:

195пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU20N06LTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

17.2A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

630пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU2N100TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

1000В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

9 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

15.5нКл

Входная емкость:

520пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU2N60CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

4.7 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

235пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU5N40TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

3.4A

Сопротивление открытого канала:

1.6 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

460пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU5N60CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

670пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF3717PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 20А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

4.4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.45В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

2890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3717TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 20A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

20A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

4.4 мОм @ 20А, 10В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.45В @ 250 µA

Заряд затвора:

33нКл @ 4.5В

Входная емкость:

2890пФ @ 10В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF6201PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

2.45 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

195нКл

Входная емкость:

8555пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6201TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A 2,5Вт 0,00245Ом SO8

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

27A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

2.45 мОм @ 27А, 4.5В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В @ 100 µA

Заряд затвора:

195нКл @ 4.5В

Входная емкость:

8555пФ @ 16В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF6216PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.2A 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

49нКл

Входная емкость:

1280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 041 шт

Цена от:

от 32,93₽

IRF6217TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 0.7A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

700мА

Сопротивление открытого канала:

2.4 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"