Одиночные MOSFET транзисторы

359
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (359)
SI2318DS-T1-E3 SI2318DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 2.3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
470пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3410DV-T1-GE3 SI3410DV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8A 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
19.5 мОм
Мощность макс.:
4.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1295пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
325пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3457CDV-T1-E3 SI3457CDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
74 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
74 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3.2A 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3459BDV-T1-E3 SI3459BDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
216 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
216 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3483CDV-T1-GE3 SI3483CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
34 мОм
Мощность макс.:
4.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4124DY-T1-E3 SI4124DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 20.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
20.5A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 20.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
20.5A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19.3A
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1155пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 8.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 8.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11.4A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 376 шт
Цена от:
от 12,86
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
18.2A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
5.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 13A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
5.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"