Одиночные MOSFET транзисторы

3356
Тип монтажа: Surface Mount
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (3356)
ZVP0545GTA ZVP0545GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 450В 0.075A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
75мА
Сопротивление открытого канала:
150 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Входная емкость:
120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP2106GTA ZVP2106GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 450мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
450мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP2120GTA ZVP2120GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.2A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
25 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP3306FTA ZVP3306FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.09A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90мА
Сопротивление открытого канала:
14 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP3310FTA ZVP3310FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.075A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75мА
Сопротивление открытого канала:
20 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP4424GTA ZVP4424GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 240В 0.48A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
480мА
Сопротивление открытого канала:
9 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61N02FTA ZXM61N02FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.4нКл
Входная емкость:
160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61N02FTC ZXM61N02FTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.4нКл
Входная емкость:
160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61N03FTA ZXM61N03FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
4.1нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61P02FTA ZXM61P02FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 900мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.5нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61P03FTA ZXM61P03FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
4.8нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM62P02E6TA ZXM62P02E6TA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.3A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
5.8нКл
Входная емкость:
320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM64P02XTA ZXM64P02XTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
MSOP8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
6.9нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM64P03XTA ZXM64P03XTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.8A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
MSOP8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
825пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM66P03N8TA ZXM66P03N8TA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.25A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
1.56Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1979пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN0545G4TA ZXMN0545G4TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 140мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
140мА
Сопротивление открытого канала:
50 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
70пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.9нКл
Входная емкость:
138пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.9нКл
Входная емкость:
138пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.5A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.7нКл
Входная емкость:
405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN10A08E6TC ZXMN10A08E6TC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.5A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.7нКл
Входная емкость:
405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"