Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (384)
SI3443CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 5.97А 2Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.97A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12.4нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI3443DDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 4A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 970пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI3460DDV-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 7.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 666пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI3493BDV-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 20В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 27.5 мОм Мощность макс.: 2.97Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 43.5нКл Входная емкость: 1805пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4114DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 20A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4136DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 46 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 7.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4186DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 35.8A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35.8A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 3630пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4403CDY-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 13.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 13.4A Сопротивление открытого канала: 15.5 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 2380пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4421DY-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 8.75 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 125нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4463BDY-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 9.8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 9.8A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 56нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4463CDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 13.6A 8-Pin SOIC N лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.6A Тип транзистора: P-канал
SI4477DY-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 26.6 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 26.6A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 6.6Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI5457DC-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI5459DU-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 10.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 665пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7106DN-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 20В 12.5A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12.5A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7137DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 585нКл Входная емкость: 20000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7141DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 400нКл Входная емкость: 14300пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7157DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 625нКл Входная емкость: 22000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7613DN-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 35A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 52.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 2620пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7615ADN-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 35A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 183нКл Входная емкость: 5590пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"