Одиночные MOSFET транзисторы

₃₅₉

Пороговое напряжение включения макс.: 3В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (359)

SIR462DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

7.9 мОм

Мощность макс.:

41.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1155пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR804DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

7.2 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR846ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

7.8 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

2350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR870ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

6.6 мОм

Мощность макс.:

104Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

2866пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR880ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 60A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

6.3 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

2289пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS468DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

19.5 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

780пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS890DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 30A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

23.5 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

802пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS892ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

19.5нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB120N4LF6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

4300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD120N4LF6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

4300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD60N3LH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 48A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

8.8нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD70NS04ZL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 33В 70A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

33В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

10.5 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD08P06-155L-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

8.4A

Сопротивление открытого канала:

155 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD19P06-60-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18.3A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD19P06-60-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18.3A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD23N06-31-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

21.4A

Сопротивление открытого канала:

31 мОм

Мощность макс.:

31.25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50N06-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

9.3 мОм

Мощность макс.:

136Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

2650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P04-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

9.4 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

4800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P06-15-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

165нКл

Входная емкость:

4950пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50P06-15L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

165нКл

Входная емкость:

4950пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"