Одиночные MOSFET транзисторы

3376
Тип монтажа: Surface Mount
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (3376)
ZXM61N02FTC ZXM61N02FTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.4нКл
Входная емкость:
160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM64P03XTA ZXM64P03XTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.8A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
MSOP8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
825пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM66P03N8TA ZXM66P03N8TA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.25A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
1.56Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1979пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN0545G4TA ZXMN0545G4TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 140мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
140мА
Сопротивление открытого канала:
50 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
70пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.9нКл
Входная емкость:
138пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN10A08E6TC ZXMN10A08E6TC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.5A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.7нКл
Входная емкость:
405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN10A11KTC ZXMN10A11KTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2.11Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.4нКл
Входная емкость:
274пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN10A25K ZXMN10A25K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.2A
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.2А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.2нКл
Входная емкость:
497пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN15A27K ZXMN15A27K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.55A
Производитель:
Hottech Co. Ltd
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.55А
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN20B28KTC ZXMN20B28KTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
2.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
8.1нКл
Входная емкость:
358пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP10A13FTA ZXMP10A13FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
600мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
1 Ом @ 600mА, 10В
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
3.5нКл @ 10В
Входная емкость:
141пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP10A17GTA ZXMP10A17GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.7A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10.7нКл
Входная емкость:
424пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A17E6TA ZXMP6A17E6TA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.7нКл
Входная емкость:
637пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A18DN8TC Транзистор полевой MOSFET сдвоенный -60В -5A 55мОм SO-8
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP7A17GQTA ZXMP7A17GQTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 70В 2.6A SOT223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
70В
Ток стока макс.:
2.6A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
160 мОм @ 2.1А, 10В
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
18нКл @ 10В
Входная емкость:
635пФ @ 40В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.45496 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"