Одиночные MOSFET транзисторы

₃₅₉

Пороговое напряжение включения макс.: 3В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (359)

SUD50P10-43L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 37.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

37.1A

Сопротивление открытого канала:

43 мОм

Мощность макс.:

136Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

160нКл

Входная емкость:

4600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUM55P06-19L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 55A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

115нКл

Входная емкость:

3500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUM90P10-19L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 90A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

326нКл

Входная емкость:

11100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUP53P06-20-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.2A

Сопротивление открытого канала:

19.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

115нКл

Входная емкость:

3500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUP85N10-10-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 85A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

85A

Сопротивление открытого канала:

10.5 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

160нКл

Входная емкость:

6550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SUP90P06-09L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 90A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

9.3 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

240нКл

Входная емкость:

9200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

TP0610K-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

185мА

Сопротивление открытого канала:

6 Ом

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

1.7нКл

Входная емкость:

23пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 708 шт

Цена от:

от 12,59₽

ZVN0124A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 0.16A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TO92-3

Напряжение сток-исток макс.:

240В

Ток стока макс.:

160мА

Сопротивление открытого канала:

16 Ом

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Входная емкость:

85пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

ZVN4206GVTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Входная емкость:

100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN0545G4TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 140мА

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

450В

Ток стока макс.:

140мА

Сопротивление открытого канала:

50 Ом

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Входная емкость:

70пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10B08E6TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-26

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

230 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

9.2нКл

Входная емкость:

497пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN3F30FHTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.8A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.8A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

950мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

7.7нКл

Входная емкость:

318пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A07FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.2A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

3.2нКл

Входная емкость:

166пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A07ZTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.9A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-89-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

3.2нКл

Входная емкость:

166пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A08KTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5.36A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

5.36A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

2.12Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

5.8нКл

Входная емкость:

459пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A09GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.9A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24.2нКл

Входная емкость:

1407пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A11GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3.1A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

3.1A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

5.7нКл

Входная емкость:

330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN6A25KTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

2.11Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20.4нКл

Входная емкость:

1063пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP6A17E6QTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-26

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

17.7нКл

Входная емкость:

637пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"