Одиночные MOSFET транзисторы

₇₀₉

Напряжение сток-исток макс.: 60В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (709)

FDP030N06B_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

205Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

99нКл

Входная емкость:

8030пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP038AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A TO-220AB

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

80А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP55N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

114Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP5800 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

242Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

145нКл

Входная емкость:

9160пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

65A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

2170пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP80N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A TO-220

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

80A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

10 мОм @ 40А, 10В

Мощность макс.:

176Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

74нКл @ 10В

Входная емкость:

3190пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF55N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1510пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS5351 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

6.1A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

1310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

2900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A 8-SOIC

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5690 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1107пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA170N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 170A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

170A

Сопротивление открытого канала:

5.6 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

290нКл

Входная емкость:

9350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB11P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11.4A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB27P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 27A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

70 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB30N06LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1040пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB50N06LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 52.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

52.4A

Сопротивление открытого канала:

21 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1630пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB50N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD11P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.4A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD13N06LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"