Одиночные MOSFET транзисторы

₄₆

Напряжение сток-исток макс.: 12В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (46)

FDMA905P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-MLP (2x2)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

3405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7329PBF Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 9.2 А, 2W

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

9.2А

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 140 шт

Цена от:

от 59,14₽

IRF7410GTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A 8-SOIC

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Заряд затвора:

91нКл

Входная емкость:

8676пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7420PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 11.5A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

11.5A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

3529пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7476TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 15A 8-SOIC

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

15A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

8 мОм @ 15А, 4.5В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.9В @ 250 µA

Заряд затвора:

40нКл @ 4.5В

Входная емкость:

2550пФ @ 6В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7910TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм @ 8А, 4.5В

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR3802TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 84A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

84A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм @ 15А, 4.5В

Мощность макс.:

88Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.9В @ 250 µA

Заряд затвора:

41нКл @ 5В

Входная емкость:

2490пФ @ 6В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3433T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

2.35A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTJS3151PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

400mВ

Заряд затвора:

8.6нКл

Входная емкость:

850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTLJS2103PTBG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-WDFN (2x2)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.2V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

1157пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB65UPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3.2A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

72 мОм

Мощность макс.:

317мВт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±8В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

634пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1442DH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-363 (SC-88)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2315BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

715пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 7.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

7.1A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 7.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

7.1A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1275пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2333DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.1A SOT23-3

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3473CDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

4.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3473CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

4.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4838BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 34A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

34A

Сопротивление открытого канала:

2.7 мОм

Мощность макс.:

5.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

5760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"