Одиночные MOSFET транзисторы

₄₆

Напряжение сток-исток макс.: 12В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Surface Mount (3357)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (46)

Акция

IRF7329PBF Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 9.2 А, 2W

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

9.2А

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 440 шт

Цена от:

от 68,66₽

IRF7410GTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A 8-SOIC

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Заряд затвора:

91нКл

Входная емкость:

8676пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRF7420PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 11.5A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

11.5A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

3529пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRF7476TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 15A 8-SOIC

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

15A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

8 мОм @ 15А, 4.5В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.9В @ 250 µA

Заряд затвора:

40нКл @ 4.5В

Входная емкость:

2550пФ @ 6В

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRF7910TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм @ 8А, 4.5В

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRLML6401 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.3А 1.3Вт

Производитель:

Huashuo Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

4.3А

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR3802TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 84A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

84A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм @ 15А, 4.5В

Мощность макс.:

88Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.9В @ 250 µA

Заряд затвора:

41нКл @ 5В

Входная емкость:

2490пФ @ 6В

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

NTGS3433T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

2.35A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

NTJS3151PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-88/SC70-6/SOT-363

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

400mВ

Заряд затвора:

8.6нКл

Входная емкость:

850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

NTLJS2103PTBG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-WDFN (2x2)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.2V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

1157пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

PMXB65UPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3.2A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

72 мОм

Мощность макс.:

317мВт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±8В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

634пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI1442DH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-363 (SC-88)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI2315BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

715пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI2333CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 7.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

7.1A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI2333CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 7.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

7.1A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI2333DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1275пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI2333DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.1A SOT23-3

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3473CDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

4.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3473CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

4.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI4838BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 34A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

34A

Сопротивление открытого канала:

2.7 мОм

Мощность макс.:

5.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

5760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"