Одиночные MOSFET транзисторы

₅₃

Ток стока макс.: 9A

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Surface Mount (3357)
Through Hole (1862)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (53)

FDB3652 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

2880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

47нКл

Входная емкость:

1874пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD8451 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

990пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDMC86160 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDMC8884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

685пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDMS4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (5x6), Power56

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

47нКл

Входная емкость:

2050пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDP16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 58A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1857пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDP3652 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

2880пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDPF10N60ZUT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

42Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1980пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FDS6692A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

11.5 мОм

Мощность макс.:

1.47Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FQB9N50CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1030пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FQD12N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FQD12N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FQP9N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

300В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

98Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

750пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

FQPF9N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

850 мОм

Мощность макс.:

44Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1030пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

IPD60R385CPATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 9A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

385 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

790пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRF630SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRF630STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

IRF630STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

400 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

Акция

IRF7469PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9А 2.5Вт, 0.012 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

17 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 451 шт

Цена от:

от 44,23₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"