Одиночные MOSFET транзисторы

₄₁

Ток стока макс.: 35A

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (41)

HUF75321P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

34 мОм

Мощность макс.:

93Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

680пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

39 мОм

Мощность макс.:

144Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1750пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR540ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 91Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

28.5 мОм

Мощность макс.:

91Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

59нКл

Входная емкость:

1690пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 131 шт

Цена от:

от 47,36₽

SI7114ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7129DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

11.4 мОм

Мощность макс.:

52.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

71нКл

Входная емкость:

3345пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7613DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

52.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

87нКл

Входная емкость:

2620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7625DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

126нКл

Входная емкость:

4427пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR402DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR410DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм

Мощность макс.:

36Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS402DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS410DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

4.8 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS434DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

7.6 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1530пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS443DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

11.7 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

135нКл

Входная емкость:

4370пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

-6% Акция

STB30NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

115Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

55нКл

Входная емкость:

1180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB45N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 35A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

78 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

91нКл

Входная емкость:

3375пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD35NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

17 мОм

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD35NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD35P6LLF6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

35A

Тип транзистора:

P-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF45N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 35A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

78 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

91нКл

Входная емкость:

3375пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW43NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 35А 255Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

88 мОм

Мощность макс.:

255Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

145нКл

Входная емкость:

4300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"