Одиночные MOSFET транзисторы

82
Ток стока макс.: 6A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (82)
FDB3502 FDB3502 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
815пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 130,08
FQP6N90C FQP6N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 070 шт
Цена от:
от 129,48
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1258пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 43,02
NVTFS5116PLTWG NVTFS5116PLTWG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 76,08
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
31.8 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
865пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
21 990 шт
Цена от:
от 12,72
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1090пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
14 364 шт
Аналоги:
49 040 шт
Цена от:
от 20,64
SI2338DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
424пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 027 шт
Цена от:
от 23,76
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 8В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
15.8нКл
Входная емкость:
1070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
33 094 шт
Цена от:
от 21,30
SI4850EY-T1-GE3 SI4850EY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
36 540 шт
Цена от:
от 55,80
SI5403DC-T1-GE3 SI5403DC-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
6.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 452 шт
Цена от:
от 13,74
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6А 83Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
785пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 251,04
STD6NF10T4 STD6NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6А 0.22 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 61,38
STD7N52K3 STD7N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 6А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
525В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
980 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
737пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Цена от:
от 46,62
STD7N80K5 STD7N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13.4нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 209,58
STD8N80K5 STD8N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.5нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 252,12
STF8N80K5 STF8N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.5нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
88 шт
Цена от:
от 141,12
STS6NF20V STS6NF20V Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
600mВ
Заряд затвора:
11.5нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 45,36
2SJ307 2SJ307 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 6А 30Вт
Производитель:
Sanyo Semiconductors
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
30 Вт
Тип транзистора:
P-канал
2SK2333 2SK2333 Полевой транзистор, N-канальный, 700В 6А 50Вт
Производитель:
Shindengen
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
700В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK2651 2SK2651 Транзистор полевой N-канальный 900В 6А 50Вт
Производитель:
FUJI Electric
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"