Одиночные MOSFET транзисторы

229
Особенности: Standard
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (229)
-5% Акция
AUIRF1324 AUIRF1324 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
24В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.5 мОм @ 195А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
240нКл @ 10В
Входная емкость:
7590пФ @ 24В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
197 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 228,13
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
32 мОм @ 36А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
89нКл @ 10В
Входная емкость:
2770пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
191 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 161,74
-5% Акция
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
79A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм @ 47А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
69нКл @ 10В
Входная емкость:
2290пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
149 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 104,27
AUIRF3205Z AUIRF3205Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
3450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
145 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 172,38
-5% Акция
IRF3007PBF IRF3007PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.6 мОм @ 48А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
3270пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
97 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 118,95
FDA24N50F FDA24N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
200 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
270Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
85нКл @ 10В
Входная емкость:
4310пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
109 шт
Цена от:
от 352,06
Акция
IRFP254PBF IRFP254PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 23A TO-247AC
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
23A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
140 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
140нКл @ 10В
Входная емкость:
2700пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
74 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 204,59
FCH35N60 FCH35N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 35A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
35A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
98 мОм @ 17.5А, 10В
Мощность макс.:
312.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
181нКл @ 10В
Входная емкость:
6640пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
71 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 406,62
-5% Акция
FQPF7N60 FQPF7N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.3A TO-220FP туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.3A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1 Ом @ 2.2А, 10В
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
38нКл @ 10В
Входная емкость:
1430пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
71 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 108,55
-5% Акция
STP10N95K5 STP10N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
8A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
800 мОм @ 4А, 10В
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 100 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
630пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
64 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 197,70
FDP2532 FDP2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8A(Ta),79A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
16 мОм @ 33А, 10В
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
107нКл @ 10В
Входная емкость:
5870пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
440 шт
Цена от:
от 272,72
-5% Акция
STP6N80K5 STP6N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом @ 2А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 100 µA
Заряд затвора:
7.5нКл @ 10В
Входная емкость:
255пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
36 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 67,15
STF42N65M5 STF42N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33А TO-220FP
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
33A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
79 мОм @ 16.5А, 10В
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
100нКл @ 10В
Входная емкость:
4650пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
34 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 184,86
STP20NM50FD STP20NM50FD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
250 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
192Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
53нКл @ 10В
Входная емкость:
1380пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
32 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 449,08
-5% Акция
FCA36N60NF FCA36N60NF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 34.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
34.9A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
95 мОм @ 18А, 10В
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
112нКл @ 10В
Входная емкость:
4245пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
30 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 369,69
-5% Акция
STY105NM50N STY105NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 110A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
MAX247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
110A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
22 мОм @ 52А, 10В
Мощность макс.:
625Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
326нКл @ 10В
Входная емкость:
9600пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
16 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 583,40
-5% Акция
IRFBA1404PPBF IRFBA1404PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 206A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SUPER-220[тм] (TO-273AA)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
206A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм @ 95А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
200нКл @ 10В
Входная емкость:
7360пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
13 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 80,96
Акция
AUIRFR48Z AUIRFR48Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
11 мОм @ 37А, 10В
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 50 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 10В
Входная емкость:
1720пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
12 шт

Внешние склады:
30 шт
Аналоги:
54 шт
Цена от:
от 262,81
-5% Акция
IXFH16N80P IXFH16N80P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 16A
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-247AD
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
16A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
600 мОм @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
460Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 4mA
Заряд затвора:
71нКл @ 10В
Входная емкость:
4600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
10 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1 511,49
-5% Акция
IXTA06N120P IXTA06N120P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 0.6A
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-263 (IXTA)
Напряжение сток-исток макс.:
1200В (1.2kВ)
Ток стока макс.:
600мА(Tc)
Сопротивление открытого канала:
32 Ом @ 300mА, 10В
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 50 µA
Заряд затвора:
13.3нКл @ 10В
Входная емкость:
270пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
9 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 93,92
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"