Одиночные MOSFET транзисторы

62
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (62)
IRFB7446PBF IRFB7446PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120А 99Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
99Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
3183пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
112 шт

Внешние склады:
90 шт
Цена от:
от 55,87
Акция
SPP06N80C3 SPP06N80C3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
785пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
108 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 259,86
Акция
SPA07N60C3XKSA1 SPA07N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
84 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 176,67
Акция
AUIRFB8405 AUIRFB8405 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
163Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
161нКл
Входная емкость:
5193пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
60 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 55,34
SPW24N60C3FKSA1 SPW24N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24А 240Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24.3A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
240Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
135нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
55 шт

Внешние склады:
70 шт
Цена от:
от 309,11
SPW16N50C3FKSA1 SPW16N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
560В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
51 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 287,40
SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3 (fully isolated)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
35 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 215,14
Акция
SPP20N65C3XKSA1 SPP20N65C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3-1
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
26 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 664,02
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 32A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
560В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
284Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
4200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
24 шт

Внешние склады:
70 шт
Цена от:
от 509,02
AUIRFB8409 AUIRFB8409 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.3 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
450нКл
Входная емкость:
14240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
AUIRFR8401 AUIRFR8401 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 79Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.25 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 993 шт
Цена от:
от 63,35
Акция
AUIRFR8405 AUIRFR8405 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 163Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1.98 мОм
Мощность макс.:
163Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
155нКл
Входная емкость:
5171пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
52 шт
Цена от:
от 190,86
AUIRFS8403TRL AUIRFS8403TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 123A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
123A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
99Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
3183пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS8405TRL AUIRFS8405TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2.3 мОм
Мощность макс.:
163Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
161нКл
Входная емкость:
5193пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
AUIRFS8407-7P AUIRFS8407-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
1.3 мОм
Мощность макс.:
231Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
225нКл
Входная емкость:
7437пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
191 шт
Цена от:
от 218,59
AUIRFS8408-7P AUIRFS8408-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak 7 Pin
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
1 мОм
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
315нКл
Входная емкость:
10250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 217A 10-Pin Direct-FET ME лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DirectFET[тм] Isometric ME
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
217A
Сопротивление открытого канала:
1.2 мОм
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
185нКл
Входная емкость:
6680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFS7430-7PPBF IRFS7430-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
0.75 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
460нКл
Входная емкость:
13975пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFS7434TRL7PP IRFS7434TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
1 мОм
Мощность макс.:
245Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
315нКл
Входная емкость:
10250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFS7437-7PPBF IRFS7437-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 231Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.4 мОм
Мощность макс.:
231Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
225нКл
Входная емкость:
7437пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
446 шт
Цена от:
от 127,29
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"