Одиночные MOSFET транзисторы

₅₀

Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (50)

BS250P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 45В 230мА, 0.7Вт

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TO92-3

Напряжение сток-исток макс.:

45В

Ток стока макс.:

230мА

Сопротивление открытого канала:

14 Ом

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Входная емкость:

60пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

CSD18537NKCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

1480пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

CSD18537NQ5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

8-VSON (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

13 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

1480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCD600N60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.4A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

89Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1120пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCPF190N60E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20.6A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

82нКл

Входная емкость:

3175пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA50R140CPXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 23A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-FP

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

23A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

34Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

64нКл

Входная емкость:

2540пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA50R190CEXKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24.8A туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

18.5A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

32Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Super Junction

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

47.2нКл

Входная емкость:

1137пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R160C6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 23.8A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-220-FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

23.8A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

34Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

75нКл

Входная емкость:

1660пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R199CPXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

199 мОм

Мощность макс.:

34Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1520пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R750E6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.7A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

27Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

17.2нКл

Входная емкость:

373пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA60R950C6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

4.4A

Сопротивление открытого канала:

950 мОм

Мощность макс.:

26Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

280пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA65R600C6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220 Full Pack

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

28Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPB60R099CPATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 31A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO263-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

31A

Сопротивление открытого канала:

99 мОм

Мощность макс.:

255Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

2800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPB60R165CPATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 21A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO263-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

192Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPB60R190C6ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO263-2

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20.2A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

151Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD50R380CEATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

9.9A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

73Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Super Junction

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

24.8нКл

Входная емкость:

584пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD60R385CPATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 9A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

385 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

790пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD60R600C6ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

63Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

20.5нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD60R950C6ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.4A TO252

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

4.4A

Сопротивление открытого канала:

950 мОм

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD65R600C6BTMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3А TO252

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

63Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43586 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"