Одиночные MOSFET транзисторы

59
Заряд затвора: 25нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (59)
FQD19N10TM FQD19N10TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
15.6A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 92,70
-6% Акция
IRF520NSTRLPBF IRF520NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
9.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
32 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 63,23
IRFIZ24GPBF IRFIZ24GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
900 шт
Цена от:
от 116,57
NTTFS5116PLTAG NTTFS5116PLTAG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1258пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 500 шт
Цена от:
от 23,16
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1258пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 33,66
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1090пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Аналоги:
14 175 шт
Цена от:
от 19,96
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 7.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
7.1A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 185 шт
Аналоги:
11 145 шт
Цена от:
от 20,36
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 7.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
7.1A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
11 145 шт
Аналоги:
5 185 шт
Цена от:
от 10,92
SI7119DN-T1-E3 SI7119DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
1.05 Ом
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
666пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 46,41
SI7414DN-T1-E3 SI7414DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Аналоги:
3 000 шт
Цена от:
от 96,39
SI7414DN-T1-GE3 SI7414DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Аналоги:
3 000 шт
Цена от:
от 93,87
SI7415DN-T1-E3 SI7415DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 44,67
BSP250,135 BSP250,135 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 486 шт
Цена от:
от 55,39
CSD18504KCS CSD18504KCS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
93Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDB14N30TM FDB14N30TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8782 FDD8782 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB7P20TM FQB7P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 7.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
690 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD6N50CTM FQD6N50CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQI4N80TU FQI4N80TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP4N80 FQP4N80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4151 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"