Одиночные MOSFET транзисторы

48
Заряд затвора: 13нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (48)
NTLJS4114NT1G NTLJS4114NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 48,54
PMN48XP,115 PMN48XP,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.1A 6-Pin TSOP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
530мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.25В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 37,38
SI2338DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
424пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 027 шт
Цена от:
от 23,46
SI4800BDY-T1-GE3 SI4800BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
18.5 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
13нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 800 шт
Цена от:
от 11,94
STD3N62K3 STD3N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 2.7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
385пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 121,26
Акция
STF6N95K5 STF6N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
17 шт

Внешние склады:
4 044 шт
Цена от:
от 40,50
STL70N4LLF5 STL70N4LLF5 Транзистор полевой 40В 70A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 171,60
STN3NF06 STN3NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
315пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 19,44
STP6N95K5 STP6N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
25 000 шт
Цена от:
от 55,20
STW6N95K5 STW6N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
13 451 шт
Цена от:
от 67,38
FDFS6N548 FDFS6N548 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD2P40TM FQD2P40TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.56A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
1.56A
Сопротивление открытого канала:
6.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FQP20N06L FQP20N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21А 0.055 Ом, 53Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
53Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF20N06L FQPF20N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 15.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15.7A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF5N40 FQPF5N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU3N50CTU FQU3N50CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
365пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU5N40TU FQU5N40TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
3.4A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPA60R950C6XKSA1 IPA60R950C6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
26Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.4A TO252
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLR8721PBF IRLR8721PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 65A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
1030пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"