Одиночные MOSFET транзисторы

55
Заряд затвора: 40нКл
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (55)
STF15N95K5 STF15N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
550 шт
Цена от:
от 191,37
STF25N80K5 STF25N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 19.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
19.5A
Сопротивление открытого канала:
260 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
150 шт
Цена от:
от 707,36
STP11NM60FD STP11NM60FD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 176,91
STW15N95K5 STW15N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 254 шт
Цена от:
от 206,02
STW20N95K5 STW20N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 17.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
17.5A
Сопротивление открытого канала:
330 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
750 шт
Цена от:
от 137,46
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Аналоги:
4 000 шт
Цена от:
от 57,81
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Аналоги:
2 000 шт
Цена от:
от 34,31
FDMS3572 FDMS3572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 8.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
16.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
2490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQA6N90C_F109 FQA6N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
198Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQB33N10LTM FQB33N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-2
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP14N30 FQP14N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 14.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
14.4A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP19N20 FQP19N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19.4A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF19N20 FQPF19N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 11.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.8A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF33N10L FQPF33N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF5N90 FQPF5N90 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
51Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF7205PBF IRF7205PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.6А 2.5Вт, 0.07 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 741 шт
Цена от:
от 18,16
NDT454P NDT454P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD4804NT4G NTD4804NT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14.5A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
1.43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
4490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD6414ANT4G NTD6414ANT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD14N05L RFD14N05L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40473 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"