Одиночные MOSFET транзисторы

1863
Тип монтажа: Through Hole
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1863)
IRFB4115PBF IRFB4115PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 104А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
104A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
5270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
5 605 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 370 шт
Цена от:
от 76,31
Акция
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79А 110Вт, 0.0071 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
79A
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
2290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
5 268 шт

Внешние склады:
679 шт
Цена от:
от 56,19
IRF530NPBF IRF530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
5 047 шт

Внешние склады:
1 025 шт
Цена от:
от 29,26
Акция
IRFP064NPBF IRFP064NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 906 шт

Внешние склады:
1 275 шт
Аналоги:
409 шт
Цена от:
от 56,68
-5% Акция
BUZ11_NR4941 BUZ11_NR4941 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 30А 75Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 233 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 70,62
IRFB5615PBF IRFB5615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35А 144Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 066 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 72,41
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47А 83Вт, 0.022 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 993 шт

Внешние склады:
270 шт
Цена от:
от 70,12
-5% Акция
SKG100N15-T SKG100N15-T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 104А 380Вт
Производитель:
Guangdong Shikues Micro Industrial Co., Ltd.
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
104А
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 946 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
6 029 шт
Цена от:
от 43,20
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 195А 520Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
520Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
540нКл
Входная емкость:
19860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 827 шт

Внешние склады:
939 шт
Цена от:
от 164,00
IRFP460PBF IRFP460PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт, 0.27 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
4200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 814 шт

Внешние склады:
630 шт
Цена от:
от 163,73
IRF1104PBF IRF1104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 606 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 142,51
IRF2804PBF IRF2804PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160А 330Вт, 1.6 мОм
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
2.3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
6450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 600 шт

Внешние склады:
170 шт
Цена от:
от 114,12
IRFB7545PBF IRFB7545PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 95A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
95A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4010пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 530 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 45,53
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
980пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 434 шт

Внешние склады:
3 670 шт
Цена от:
от 74,38
IRL2203NPBF IRL2203NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100А 130Вт, 0.007 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
116A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 282 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 88,95
IRF5210PBF IRF5210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40А 200Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
2700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 242 шт

Внешние склады:
2 430 шт
Цена от:
от 74,59
IRF740PBF IRF740PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 134Вт, 0.54 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 226 шт

Внешние склады:
3 670 шт
Цена от:
от 43,45
IRF1407PBF IRF1407PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 130А 330Вт, 0.0078 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
130A
Сопротивление открытого канала:
7.8 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
250нКл
Входная емкость:
5600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 223 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 77,57
IRFB3077PBF IRFB3077PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
9400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 176 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 92,92
IRFB4110PBF IRFB4110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
9620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 150 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 54,83
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"