Одиночные MOSFET транзисторы

₄₀

Сопротивление открытого канала: 600 мОм

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (40)

IPA60R600P6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

4.9A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

28Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

557пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPA65R600C6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220 Full Pack

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

28Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPD60R600C6ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

63Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

20.5нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD65R600C6BTMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3А TO252

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

63Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9520STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

390пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 000 шт

Цена от:

от 102,78₽

IRFI9520GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.2A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

390пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP448PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPC50LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

2300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR220NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.0А 43Вт, 0.5 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

36 802 шт

Цена от:

от 13,25₽

IRFR9120TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.6A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

390пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

5 672 шт

Цена от:

от 48,76₽

SIHD6N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

78Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

820пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHP7N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

78Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

680пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SPD07N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

790пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD08N50C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение сток-исток макс.:

560В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPP07N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-3

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

790пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STB10N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

85Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

13.5нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

-6% Акция

STB8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

690пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP10N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

85Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

13.5нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STP8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 0.56 Ом, 25Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

690пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

-6% Акция

STU8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

690пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"