Одиночные MOSFET транзисторы

52
Мощность макс.: 50Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (52)
2SK2225 2SK2225 Транзистор полевой N-канальный 1500В 2А 50Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
2A
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK2333 2SK2333 Полевой транзистор, N-канальный, 700В 6А 50Вт
Производитель:
Shindengen
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
700В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK2645 2SK2645 Транзистор полевой N-канальный 600В 9А 50Вт
Производитель:
Fuji Electric
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
9A
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK2651 2SK2651 Транзистор полевой N-канальный 900В 6А 50Вт
Производитель:
Fuji Electric
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK2938S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 25А 50Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Корпус:
SC-83
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
25A
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
AOTF14N50 AOTF14N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
380 мОм @ 7А, 10В
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
51нКл @ 10В
Входная емкость:
2297пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
AOTF25S65 AOTF25S65 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 25A TO220F
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
25A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
190 мОм @ 12.5А, 10В
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
26.4нКл @ 10В
Входная емкость:
1278пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
AP2763 I-A AP2763 I-A Транзистор полевой N-канальный 750В 8А 50Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
750В
Ток стока макс.:
8A
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Акция
APM4010NUC APM4010NUC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 57А 50Вт
Производитель:
ANPEC Electronics Corp.
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
57A
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SON8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 11.3A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSDSON
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.3A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCP4N60 FCP4N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.6нКл
Входная емкость:
540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDD6N25TM FDD6N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 4.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8780 FDD8780 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8782 FDD8782 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD10N20CTM FQD10N20CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQPF19N20 FQPF19N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 11.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.8A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9P25 FQPF9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
620 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU10N20CTU FQU10N20CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF820ALPBF IRF820ALPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68325 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"