Одиночные MOSFET транзисторы

97
Мощность макс.: 300Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (97)
STP75NF75 STP75NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80А 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 669 шт

Внешние склады:
3 433 шт
Аналоги:
2 205 шт
Цена от:
от 43,14
-8% Акция
STP76NF75 STP76NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
133 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 75,12
STP80NF10 STP80NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
182нКл
Входная емкость:
5500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
115 шт

Внешние склады:
24 000 шт
Цена от:
от 96,06
-8% Акция
STP80NF12 STP80NF12 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В 80А 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
120В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
189нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
66 шт

Внешние склады:
10 009 шт
Цена от:
от 123,84
STP80NF55-08 STP80NF55-08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80А 0,008Ом 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
155нКл
Входная емкость:
3850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
113 шт

Внешние склады:
30 010 шт
Цена от:
от 80,64
AUIRF1324WL AUIRF1324WL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 240A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262-3
Напряжение сток-исток макс.:
24В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
1.3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
7630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 945,36
FDB15N50 FDB15N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 211,86
Акция
FQA11N90C_F109 FQA11N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
8 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 646,92
FQA13N80_F109 FQA13N80_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
12.6A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
88нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
32 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 337,02
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
130A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
7300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 496,74
Акция
IRF3805PBF IRF3805PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
7960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 65,40
IRFB3207PBF IRFB3207PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 180A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
170A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
260нКл
Входная емкость:
7600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
32 500 шт
Цена от:
от 56,34
Акция
IRFBA1404PPBF IRFBA1404PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 206A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SUPER-220[тм] (TO-273AA)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
206A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм @ 95А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
200нКл @ 10В
Входная емкость:
7360пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
7 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 84,30
IXTP26P20P IXTP26P20P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 26А 300Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2740пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 1 176,60
PSMN015-100P,127 PSMN015-100P,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
4900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
115 шт
Цена от:
от 225,60
STB140NF55T4 STB140NF55T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
142нКл
Входная емкость:
5300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 102,36
STB60NF10T4 STB60NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
104нКл
Входная емкость:
4270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 1 828,86
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 118,86
STB80NF10T4 STB80NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
182нКл
Входная емкость:
5500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
16 000 шт
Цена от:
от 110,82
STH240N10F7-2 STH240N10F7-2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
HВІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
11550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 116,40
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"