Одиночные MOSFET транзисторы

₉₇

Мощность макс.: 300Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (97)

STP80NF55-08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80А 0,008Ом 300Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

155нКл

Входная емкость:

3850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

45 шт

Внешние склады:

66 шт

Цена от:

от 139,31₽

Акция

IRF2907ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

270нКл

Входная емкость:

7500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

43 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 385,66₽

Акция

IRFB3256PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

3.4 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

195нКл

Входная емкость:

6600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

34 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 46,24₽

FQA13N80_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение сток-исток макс.:

800В

Ток стока макс.:

12.6A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

88нКл

Входная емкость:

3500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

27 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 324,06₽

Акция

STP80NF12 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В 80А 300Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

120В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

18 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

189нКл

Входная емкость:

4300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

26 шт

Внешние склады:

9 шт

Цена от:

от 235,14₽

Акция

IRFBA1404PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 206A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SUPER-220[тм] (TO-273AA)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

206A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм @ 95А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

200нКл @ 10В

Входная емкость:

7360пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

17 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 80,54₽

Акция

FQA11N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

1.1 Ом

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

3290пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

8 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 618,48₽

Акция

IPB072N15N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 100А 300Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO 263-3 (D2Pak)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

100A

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

50 шт

Цена от:

от 163,62₽

AUIRF1324WL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 240A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262-3

Напряжение сток-исток макс.:

24В

Ток стока макс.:

240A

Сопротивление открытого канала:

1.3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

180нКл

Входная емкость:

7630пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF2804S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

240нКл

Входная емкость:

6450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF2804STRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

195A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

240нКл @ 10В

Входная емкость:

6450пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF3805 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

290нКл

Входная емкость:

7960пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF3805L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

290нКл

Входная емкость:

7960пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF3805S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

290нКл

Входная емкость:

7960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS3206 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 210A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

6540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS3206TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 210A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 150 µA

Заряд затвора:

170нКл @ 10В

Входная емкость:

6540пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS4310 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

250нКл

Входная емкость:

7670пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BTS282ZE3180AATMA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 49В 80A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO263-7

Напряжение сток-исток макс.:

49В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Temperature Protection

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

232нКл

Входная емкость:

4800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BTS282ZE3230AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 49В 80A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-7

Напряжение сток-исток макс.:

49В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Temperature Protection

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

232нКл

Входная емкость:

4800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

BUK7606-75B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

75A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

5.6 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

91нКл @ 10В

Входная емкость:

7446пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68325 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"