Одиночные MOSFET транзисторы

50
Мощность макс.: 90Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (50)
STD5NK60ZT4 STD5NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 000 шт
Цена от:
от 43,74
STD6N62K3 STD6N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 5.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1.28 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
25.7нКл
Входная емкость:
706пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 293,70
STD7N52K3 STD7N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 6А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
525В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
980 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
737пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Цена от:
от 46,62
STP12NK30Z STP12NK30Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
160 шт
Цена от:
от 91,56
STP20NF20 STP20NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 87,00
STP28NM50N STP28NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
158 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1735пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 444,84
STP3NK90Z STP3NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
4.8 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.7нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
60 000 шт
Цена от:
от 37,86
STP5NK60Z STP5NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
690пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 121,26
STP6N95K5 STP6N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
25 000 шт
Цена от:
от 55,20
Акция
STU6N62K3 STU6N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 5.5А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
875пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 150,90
STW6N95K5 STW6N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
1.25 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
13 451 шт
Цена от:
от 67,38
Акция
2SK2320 2SK2320 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8.5А 90Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO3FP
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8.5A
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Акция
AUIRFR3504Z AUIRFR3504Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR3504ZTRL AUIRFR3504ZTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 77A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SMP3003-DL-1E SMP3003-DL-1E Транзистор полевой MOSFET P-канальный 75В 100A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263 (DВІPak)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
280нКл
Входная емкость:
13400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB13NM60N STB13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STB6N62K3 STB6N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
620В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
875пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD11NM60ND STD11NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD14NM50NAG STD14NM50NAG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
320 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
816пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"