Одиночные MOSFET транзисторы

134
Мощность макс.: 110Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (134)
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
670 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 73,02
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
65 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1200пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
656 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
320 шт
Цена от:
от 166,59
STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
905пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
625 шт

Внешние склады:
2 090 шт
Цена от:
от 59,27
IRFU5305PBF IRFU5305PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
384 шт

Внешние склады:
1 450 шт
Цена от:
от 48,63
Акция
IRFZ44EPBF IRFZ44EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт, 0.023 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
348 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 88,67
Акция
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A 3-Pin(2+Tab) DPAKлента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
56A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм @ 47А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
69нКл @ 10В
Входная емкость:
2290пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
316 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 77,51
STP11NK40Z STP11NK40Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 0.55 Ом, 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
930пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
284 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 99,55
Акция
STB13N60M2 STB13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263) type A
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
580пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
270 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 68,89
IRF6215PBF IRF6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
221 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 259,58
Акция
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
79A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм @ 47А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
69нКл @ 10В
Входная емкость:
2290пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
149 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 104,27
Акция
STB6N80K5 STB6N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
255пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
85 шт

Внешние склады:
157 шт
Цена от:
от 43,57
Акция
STP62NS04Z STP62NS04Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 33В 62A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
33В
Ток стока макс.:
62A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 35,36
Акция
STP6N80K5 STP6N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом @ 2А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 100 µA
Заряд затвора:
7.5нКл @ 10В
Входная емкость:
255пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
36 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 67,57
STP9NK50Z STP9NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2А, 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
28 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 54,64
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31А
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
320 шт
Аналоги:
656 шт
Цена от:
от 274,67
HUF76429S3ST HUF76429S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
340 шт
Цена от:
от 176,01
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 545 шт
Аналоги:
25 790 шт
Цена от:
от 48,52
STP5NK80Z STP5NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
2.4 Ом
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
45.5нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 339,35
AUIRF6215 AUIRF6215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFR1018E AUIRFR1018E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
2290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"