Одиночные MOSFET транзисторы

99
Мощность макс.: 3.1Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (99)
IRFB31N20DPBF IRFB31N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
2370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
58 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 210,77
AO4411 AO4411 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8А 2Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 13,24
Новинка
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
41 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 111,42
Акция
FDB8453LZ FDB8453LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 7 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
16.1A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
3545пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
25 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 29,29
Акция
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 148,13
FDD86102 FDD86102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1035пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 81,60
AO4403 AO4403 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A 8SOIC
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
46 мОм @ 6.1А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В @ 250 µA
Заряд затвора:
11.3нКл @ 4.5В
Входная емкость:
1128пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
AO4425 AO4425 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 38В 14A 8-Pin SOIC
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
38В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AO4447A AO4447A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 17A 8-SOIC
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
7 мОм @ 17А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.6В @ 250 µA
Заряд затвора:
105нКл @ 10В
Входная емкость:
5500пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
AO4459 AO4459 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6.5A 8SOIC
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
46 мОм @ 6.5А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
16нКл @ 10В
Входная емкость:
830пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
AON7296 AON7296 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5A 8DFN
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5A(Ta),12.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
66 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В @ 250 µA
Заряд затвора:
12нКл @ 10В
Входная емкость:
415пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AON7410 AON7410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A 8DFN
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.5A(Ta),24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
20 мОм @ 8А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
12нКл @ 10В
Входная емкость:
660пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
AON7422E AON7422E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A 8-Pin DFN-A EP
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A(Ta),40A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 250 µA
Заряд затвора:
50нКл @ 10В
Входная емкость:
2940пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16322Q5 CSD16322Q5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
9.7нКл
Входная емкость:
1365пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16401Q5 CSD16401Q5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
4100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16403Q5A CSD16403Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16407Q5 CSD16407Q5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16413Q5A CSD16413Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
11.7нКл
Входная емкость:
1780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18501Q5A CSD18501Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
3840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18503Q5A CSD18503Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
2640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"