Одиночные MOSFET транзисторы

99
Мощность макс.: 3.1Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (99)
Акция
IRFL214TRPBF-BE3 IRFL214TRPBF-BE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 790мА, 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
790мА
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 164 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 110 шт
Цена от:
от 59,72
Акция
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 271 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Аналоги:
950 шт
Цена от:
от 109,79
YJS05N06A YJS05N06A Транзистор полевой MOSFET 2N-канальный 60В 5A 3.1Вт
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
3 820 шт

Внешние склады:
42 117 шт
Цена от:
от 7,42
AO4447A AO4447A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 17A 8-SOIC
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
7 мОм @ 17А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.6В @ 250 µA
Заряд затвора:
105нКл @ 10В
Входная емкость:
5500пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 40,64
AO4459 AO4459 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6.5A 8SOIC
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
46 мОм @ 6.5А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
16нКл @ 10В
Входная емкость:
830пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
24 000 шт
Цена от:
от 7,49
AON7296 AON7296 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5A 8DFN
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5A(Ta),12.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
66 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В @ 250 µA
Заряд затвора:
12нКл @ 10В
Входная емкость:
415пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
10 000 шт
Цена от:
от 18,47
FDB3502 FDB3502 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
815пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Цена от:
от 98,07
-6% Акция
FDB8453LZ FDB8453LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 7 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
16.1A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
3545пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
25 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 30,07
FDD3860 FDD3860 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 95,86
FDD86102 FDD86102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1035пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
31 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 66,95
FDD86102LZ FDD86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
22.5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 698 шт
Цена от:
от 53,15
FDD86110 FDD86110 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12.5A
Сопротивление открытого канала:
10.2 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
2265пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 171,92
FDD86250 FDD86250 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
2110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 531 шт
Цена от:
от 79,19
IRF5210LPBF IRF5210LPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 373,03
IRF740SPBF IRF740SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт, 0.55 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Аналоги:
4 013 шт
Цена от:
от 136,97
IRF830SPBF IRF830SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
850 шт
Аналоги:
1 600 шт
Цена от:
от 127,00
IRF830STRLPBF IRF830STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Аналоги:
850 шт
Цена от:
от 75,41
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
550 шт
Цена от:
от 203,81
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
650 шт
Аналоги:
2 008 шт
Цена от:
от 166,24
IRFBC40STRLPBF IRFBC40STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Цена от:
от 93,90
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43586 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"