Одиночные MOSFET транзисторы

65
Мощность макс.: 125Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (65)
STP24NM60N STP24NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 120Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
488 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 179,84
Акция
STP5NK100Z STP5NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1KВ 3.5А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
3.7 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1154пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
468 шт

Внешние склады:
900 шт
Цена от:
от 115,80
Акция
STP7NK80Z STP7NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
5.2A
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1138пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
181 шт

Внешние склады:
750 шт
Цена от:
от 130,42
Акция
STP9NK60Z STP9NK60Z Транзистор полевой 600В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
254 шт

Внешние склады:
110 шт
Цена от:
от 102,62
Акция
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 96,82
-6% Акция
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1036пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
29 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 42,59
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 252,51
IRFPE30PBF IRFPE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 546 шт
Цена от:
от 114,86
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Транзистор HEXFET N-канал 30В 184A [TO-220]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
130A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм @ 68А, 10В
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В @ 100 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 4.5В
Входная емкость:
5050пФ @ 15В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 100 шт
Цена от:
от 34,83
SPD30P06PG SPD30P06PG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 30A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
P-TO252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1535пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 500 шт
Цена от:
от 25,45
STB24NM60N STB24NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 837,14
STD40NF10 STD40NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 50A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
2180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 74,21
STP22NM60N STP22NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 350 шт
Цена от:
от 78,13
STW24NM60N STW24NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
31 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 276,14
2SK1940 2SK1940 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12А 125Вт
Производитель:
Fujitsu Microelectronics
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
-6% Акция
2SK2038 2SK2038 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5А 125Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
5A
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Акция
2SK2765 2SK2765 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7А 125Вт
Производитель:
Fujitsu Microelectronics
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
7A
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
BSC320N20NS3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 36A 32мОм 125Вт TDSON-8-EP(6x5)
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
36А
Сопротивление открытого канала:
32мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7618-55,118 BUK7618-55,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 57A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCMT299N60 FCMT299N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A POWER88
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power88
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
299 мОм @ 6А, 10В
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
51нКл @ 10В
Входная емкость:
1948пФ @ 380В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40473 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"