Одиночные MOSFET транзисторы

65
Мощность макс.: 125Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (65)
Акция
STP7NK80Z STP7NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
5.2A
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1138пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
166 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 123,42
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
980пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
120 шт

Внешние склады:
2 412 шт
Цена от:
от 82,14
Акция
IRFPG30PBF IRFPG30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
980пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
84 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 141,59
Акция
IRFB7787PBF IRFB7787PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 83A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
76A
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
109нКл
Входная емкость:
4020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
55 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 29,13
STW24NM60N STW24NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
23 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 261,13
Акция
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1036пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
21 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 40,28
IRFPE30PBF IRFPE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
633 шт
Цена от:
от 134,14
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Транзистор HEXFET N-канал 30В 184A [TO-220]
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
130A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм @ 68А, 10В
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В @ 100 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 4.5В
Входная емкость:
5050пФ @ 15В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 160,73
2SK1940 2SK1940 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12А 125Вт
Производитель:
Fuji Electric
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Акция
2SK2038 2SK2038 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5А 125Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
5A
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Акция
2SK2765 2SK2765 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7А 125Вт
Производитель:
Fuji Electric
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
7A
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
BSC320N20NS3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 36A 32мОм 125Вт TDSON-8-EP(6x5)
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
36А
Сопротивление открытого канала:
32мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7618-55,118 BUK7618-55,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 57A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCMT299N60 FCMT299N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A POWER88
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power88
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
299 мОм @ 6А, 10В
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
51нКл @ 10В
Входная емкость:
1948пФ @ 380В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FCP11N60 FCP11N60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.38 Ом, 125Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FCP11N60F FCP11N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDD14AN06LA0_F085 FDD14AN06LA0_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
11.6 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
2810пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FQP6N60C FQP6N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"