Одиночные MOSFET транзисторы

674
Напряжение сток-исток макс.: 100В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (674)
IPP04CN10NGXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP05CN10NGXKSA1 IPP05CN10NGXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Through Hole
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A [TO-220-3]
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP086N10N3GXKSA1 IPP086N10N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP100N10S305AKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 58A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
58А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP16CN10NGXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 53A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
53А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43A TO-220-3
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
43A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPP70N10SL16AKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
70А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPS60R1K0CEAKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.8А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 300A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-HSOF-8-1
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
300A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
156нКл
Входная емкость:
11200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF1310NSPBF IRF1310NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42А 3.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 686 шт
Цена от:
от 99,95
IRF3710LPBF IRF3710LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
23 мОм @ 28А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
3130пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF3710SPBF IRF3710SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
3130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 453 шт
Цена от:
от 64,25
IRF3710STRRPBF IRF3710STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
23 мОм @ 28А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
3130пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 453 шт
Цена от:
от 49,61
Акция
IRF3710ZSPBF IRF3710ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
732 шт
Цена от:
от 104,62
IRF510SPBF IRF510SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.3нКл
Входная емкость:
180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.3нКл
Входная емкость:
180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF5210LPBF IRF5210LPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"