Одиночные MOSFET транзисторы

1301
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1301)
IRF9640STRLPBF IRF9640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 045 шт
Аналоги:
1 924 шт
Цена от:
от 94,12
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.1А 1.3Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
210 шт
Цена от:
от 136,77
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
220 шт
Цена от:
от 121,08
Акция
IRFI1310NPBF IRFI1310NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 24А 56Вт, 0.036 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 201,80
IRFI4510GPBF IRFI4510GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
81нКл
Входная емкость:
2998пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 488 шт
Цена от:
от 73,00
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 шт
Цена от:
от 500,82
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
123нКл
Входная емкость:
2159пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
130 шт
Цена от:
от 100,60
IRFPE30PBF IRFPE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
633 шт
Цена от:
от 132,93
IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
2840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
60 шт
Цена от:
от 315,83
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 94,73
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 81,84
IRFR310PBF IRFR310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 090 шт
Аналоги:
2 320 шт
Цена от:
от 93,05
IRFR420PBF IRFR420PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 600 шт
Аналоги:
2 027 шт
Цена от:
от 60,71
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 625 шт
Аналоги:
25 771 шт
Цена от:
от 48,52
IRFR5505TRLPBF IRFR5505TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Аналоги:
10 362 шт
Цена от:
от 39,45
IRFR9020PBF IRFR9020PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 9.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 236 шт
Цена от:
от 105,63
IRFR9024PBF IRFR9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8А 42Вт, 0.28 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 757 шт
Аналоги:
1 032 шт
Цена от:
от 39,47
IRFR9120NTRLPBF IRFR9120NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 шт
Аналоги:
38 шт
Цена от:
от 104,54
IRFR9220PBF IRFR9220PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6А 42Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
675 шт
Аналоги:
4 031 шт
Цена от:
от 100,59
IRFR9310PBF IRFR9310PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 389 шт
Аналоги:
2 660 шт
Цена от:
от 99,86
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"