Одиночные MOSFET транзисторы

10238
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10238)
FQA6N90C_F109 FQA6N90C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
2.3 Ом
Мощность макс.:
198Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA7N80C_F109 FQA7N80C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
1.9 Ом
Мощность макс.:
198Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA8N100C FQA8N100C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.45 Ом
Мощность макс.:
225Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
3220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQA90N15 FQA90N15 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 90 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
FQA9N90C-F109 FQA9N90C-F109 МОП-транзистор 900В N-Channel QFET
Производитель:
ON Semiconductor
FQA9P25 FQA9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 10.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
620 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQAF11N90C FQAF11N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQAF13N80 FQAF13N80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8А 120Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
88нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQAF16N50 FQAF16N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11.3A
Сопротивление открытого канала:
320 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQB11P06TM FQB11P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11.4A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB19N20CTM FQB19N20CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-2
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB19N20TM FQB19N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19.4A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB1P50TM FQB1P50TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-2
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
10.5 Ом
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB22P10TM FQB22P10TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6% Акция
FQB27N25 FQB27N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25А 180Вт
Производитель:
Noname
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
25А
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
FQB27P06TM FQB27P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 27A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB30N06LTM FQB30N06LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1040пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB33N10LTM FQB33N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-2
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1630пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB33N10TM FQB33N10TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB34N20LTM FQB34N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.60435 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"