FQB19N20TM, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 19.4 А
* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта
- Производитель
ON Semiconductor
Описание
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 19.4 А
Документация
Код товара: 198517
Дата обновления: 10.12.2018 14:30
| Склад | Цена | Наличие | Срок поставки | Кратность | Минимум | Количество | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Промэлектроника | ||||||||
| Нет в наличии | ||||||||
| Склад | Цена | Наличие | Срок | Кратность | Минимум | Количество | ||
| Внешние склады | ||||||||
| 2 400 шт. | 10 раб. дн. | 800 шт. | 800 шт. | ||||
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Корпус
D2PAK/TO263Нормоупаковка
800 шт.Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)Вес нетто
1.2 гНапряжение исток-сток макс.
200 ВТок стока макс.
19.4 АСопротивление открытого канала
150 мОмМощность макс.
3.13 ВтТип транзистора
MOSFET N-канальный, металл-оксидОсобенности
СтандартныйПороговое напряжение включения макс.
5 ВЗаряд затвора
40 нКлВходная емкость
1600 пФТип монтажа
ПоверхностныйНаличие в магазинах
Колмогорова, 70
0 шт.Интернет-магазин
2400 шт.Поделиться:
