Одиночные MOSFET транзисторы

10238
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10238)
FQP8N80C FQP8N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.55 Ом
Мощность макс.:
178Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2050пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP8N90C FQP8N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
1.9 Ом
Мощность макс.:
171Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP8P10 FQP8P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
470пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP9N30 FQP9N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
98Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP9N90C FQP9N90C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
2730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP9P25 FQP9P25 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 9.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
620 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF10N20C FQPF10N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF10N50CF FQPF10N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
610 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2096пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF11N40C FQPF11N40C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
44Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1090пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF12N60C FQPF12N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12А 51Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
650 мОм
Мощность макс.:
51Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF12P10 FQPF12P10 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 8.2А 75Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
FQPF13N06L FQPF13N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
24Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQPF13N10 FQPF13N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100В 8.7А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FQPF13N50CF FQPF13N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 13А 48Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2055пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF15P12 FQPF15P12 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 120В 15A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
120В
Ток стока макс.:
15A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
200 мОм @ 7.5А, 10В
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
38нКл @ 10В
Входная емкость:
1100пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF16N25C FQPF16N25C Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 15.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Акция
FQPF18N50V2 FQPF18N50V2 Полевой транзистор, N-канальный, 500В 18А 69Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FQPF19N10 FQPF19N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13.6A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
780пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF19N20 FQPF19N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 11.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.8A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF19N20C FQPF19N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6069 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"