Одиночные MOSFET транзисторы

10244
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10244)
FQT13N06TF FQT13N06TF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT1N60CTF-WS FQT1N60CTF-WS MOSFET, N-CH, 600V, 0.2A, SOT-223-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):9.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;
Производитель:
ON Semiconductor
FQT1N60CTF_WS FQT1N60CTF_WS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 200мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
11.5 Ом
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT1N80TF_WS FQT1N80TF_WS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 0.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
20 Ом
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.2нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT2P25TF FQT2P25TF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 0.55A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
550мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT3P20TF FQT3P20TF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.67A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-4
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
670мА
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT4N25TF FQT4N25TF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 0.83A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT223-4
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
830мА
Сопротивление открытого канала:
1.75 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT5P10TF FQT5P10TF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
1.05 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQT7N10TF FQT7N10TF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQU10N20CTU FQU10N20CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 7.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
360 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU11P06TU FQU11P06TU Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 9.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU13N06LTU FQU13N06LTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU13N10LTU FQU13N10LTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
FQU17P06TU FQU17P06TU Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12A IPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FQU1N60CTU FQU1N60CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
11.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU1N80TU FQU1N80TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A IPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
20 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
7.2нКл @ 10В
Входная емкость:
195пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQU20N06LTU FQU20N06LTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17.2A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU2N100TU FQU2N100TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
9 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15.5нКл
Входная емкость:
520пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU2N60CTU FQU2N60CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
4.7 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU3N50CTU FQU3N50CTU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
365пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"